Algis Jurgis Kundrotas

Straipsnis iš Vikipedijos, laisvosios enciklopedijos.
Jump to navigation Jump to search
Algis Jurgis Kundrotas
Gimė 1950 m. liepos 15 d. (69 metai)
Užšuščiai, Šilutės raj.
Veikla Lietuvos fizikas, habilituotas fizinių mokslų daktaras.
Žymūs apdovanojimai

Algis Jurgis Kundrotas (g. 1950 m. liepos 15 d. Užšuščiai, Šilutės raj.) – Lietuvos fizikas, habilituotas fizinių mokslų daktaras, profesorius.

Biografija[redaguoti | redaguoti vikitekstą]

1972 m. baigė Vilniaus pedagoginį institutą. 1999 m. habilituotas fizinių mokslų daktaras.

Nuo 1980 m. dirbo Puslaidininkių fizikos institute; nuo 2001 m. vyr. mokslo darbuotojas, nuo 2002 m. taip pat dėstė Vilniaus Gedimino technikos universitete prof. pareigose.

Mokslinė veikla[redaguoti | redaguoti vikitekstą]

Mokslinių tyrimų sritys: puslaidininkių fizika, optinė elektronika ir spektroskopija, puslaidininkinių įvairialyčių darinių kvantiniai reiškiniai, puslaidininkinių darinių sąveika su branduolinėmis dalelėmis, fizikinių reiškinių kompiuterinis modeliavimas, trupmeninio matumo erdvės kvantinė fizika ir jos taikymas nanodariniams.[1]

Bibliografija[redaguoti | redaguoti vikitekstą]

  • A. Dargys, J. Kundrotas, Ge, Si, GaAs ir InP fizikinių savybių vadovas (Handbook on Physical Properties of Ge, Si, GaAs and InP),Vilnius, Science and EncyclopediaPublishers, 1994 m.

https://openlibrary.org/works/OL1683171W/Handbook_on_physical_properties_of_Ge_Si_GaAs_and_InP

  • GaAs/AlGaAs technologija, 1999 m.
  • GaAs/AlGaAs savybės, 2001 m.
  • Kai kurie moksliniai straipsaniai:
  • 1. J. Kundrotas, A. Čerškus, S. Ašmontas, G. Valušis, B. Sherliker, M. P. Halsall, M. J. Steer, E. Johannessen, and P. Harrison, Excitonic and impurity-related optical transitions in beryllium δ-doped GaAs/AlAs multiple quantum wells: Fractional-dimensional space approach, Phys. Rev. B, V. 72, No 23, 235322 (11) (2005).

http://journals.aps.org/prb/abstract/10.1103/PhysRevB.72.235322

  • 2. J. Kundrotas, A. Čerškus, S.Ašmontas, G. Valušis, M. P. Halsall, E. Johannessen, P. Harison, Impurity-induced Huang-Rhys factor in beryllium δ-doped GaAs/AlAs multiple quantum wells: fractional-dimensional approach, Semicond. Sci. Technol., V. 22, No 9, p. 1070-1076 (2007).

http://iopscience.iop.org/article/10.1088/0268-1242/22/9/016

  • 3. J. Kundrotas, A. Čerškus, G. Valušis, L.H. Li, E.H. Linfield, A. Johannessen, E. Johannessen,. Light emission lifetimes in p-type δ-doped GaAs/AlAs multiple quantum wells near the Mott transition, J.Appl. Phys., V. 112, No 4, p. 043105-1-5 (2012).

http://scitation.aip.org/content/aip/journal/jap/112/4/10.1063/1.4745893

  • 4. J. Kundrotas, A. Čerškus, G. Valušis, E.H. Linfield, E. Johannessen, A. Johannessen, Dynamics of free carriers-neutral impurity related optical transitions in Be and Si δ-doped GaAs/AlAs multiple quantum wells: Fractional-dimensional space approach, Lithuanian J. Phys., Vol. 54, No 4, p. 233-243 (2014).

http://dx.doi.org/10.3952/physics.v54i4.3012

Įvertinimas[redaguoti | redaguoti vikitekstą]

Šaltiniai[redaguoti | redaguoti vikitekstą]

  1. Algis Jurgis Kundrotas. Visuotinė lietuvių enciklopedija, T. XI (Kremacija-Lenzo taisyklė). – Vilnius: Mokslo ir enciklopedijų leidybos institutas, 2007. 262 psl.

http://www.samogit.lt/KULTURA/J_Kundrotas.htm

Nuorodos[redaguoti | redaguoti vikitekstą]