Algis Jurgis Kundrotas

Straipsnis iš Vikipedijos, laisvosios enciklopedijos.
Peršokti į: navigacija, paiešką
Bullet purple.png
Bullet purple.png
Algis Jurgis Kundrotas
Gimė: 1950 m. liepos 15 d. (67 metai)
Užšuščiai, Šilutės raj.
Veikla: Lietuvos fizikas, habilituotas fizinių mokslų daktaras.
Žymūs apdovanojimai:

Algis Jurgis Kundrotas (g. 1950 m. liepos 15 d. Užšuščiai, Šilutės raj.) – Lietuvos fizikas, habilituotas fizinių mokslų daktaras, profesorius.

Biografija[redaguoti | redaguoti vikitekstą]

1972 m. baigė Vilniaus pedagoginį institutą. 1999 m. habilituotas fizinių mokslų daktaras.

Nuo 1980 m. dirbo Puslaidininkių fizikos institute; nuo 2001 m. vyr. mokslo darbuotojas, nuo 2002 m. taip pat dėstė Vilniaus Gedimino technikos universitete prof. pareigose.

Mokslinė veikla[redaguoti | redaguoti vikitekstą]

Mokslinių tyrimų sritys: puslaidininkių fizika, optinė elektronika ir spektroskopija, puslaidininkinių įvairialyčių darinių kvantiniai reiškiniai, puslaidininkinių darinių sąveika su branduolinėmis dalelėmis, fizikinių reiškinių kompiuterinis modeliavimas, trupmeninio matumo erdvės kvantinė fizika ir jos taikymas nanodariniams.[1]

Bibliografija[redaguoti | redaguoti vikitekstą]

  • A. Dargys, J. Kundrotas, Ge, Si, GaAs ir InP fizikinių savybių vadovas (Handbook on Physical Properties of Ge, Si, GaAs and InP),Vilnius, Science and EncyclopediaPublishers, 1994 m.

https://openlibrary.org/works/OL1683171W/Handbook_on_physical_properties_of_Ge_Si_GaAs_and_InP

  • GaAs/AlGaAs technologija, 1999 m.
  • GaAs/AlGaAs savybės, 2001 m.
  • Kai kurie moksliniai straipsaniai:
  • 1. J. Kundrotas, A. Čerškus, S. Ašmontas, G. Valušis, B. Sherliker, M. P. Halsall, M. J. Steer, E. Johannessen, and P. Harrison, Excitonic and impurity-related optical transitions in beryllium δ-doped GaAs/AlAs multiple quantum wells: Fractional-dimensional space approach, Phys. Rev. B, V. 72, No 23, 235322 (11) (2005).

http://journals.aps.org/prb/abstract/10.1103/PhysRevB.72.235322

  • 2. J. Kundrotas, A. Čerškus, S.Ašmontas, G. Valušis, M. P. Halsall, E. Johannessen, P. Harison, Impurity-induced Huang-Rhys factor in beryllium δ-doped GaAs/AlAs multiple quantum wells: fractional-dimensional approach, Semicond. Sci. Technol., V. 22, No 9, p. 1070-1076 (2007).

http://iopscience.iop.org/article/10.1088/0268-1242/22/9/016

  • 3. J. Kundrotas, A. Čerškus, G. Valušis, L.H. Li, E.H. Linfield, A. Johannessen, E. Johannessen,. Light emission lifetimes in p-type δ-doped GaAs/AlAs multiple quantum wells near the Mott transition, J.Appl. Phys., V. 112, No 4, p. 043105-1-5 (2012).

http://scitation.aip.org/content/aip/journal/jap/112/4/10.1063/1.4745893

  • 4. J. Kundrotas, A. Čerškus, G. Valušis, E.H. Linfield, E. Johannessen, A. Johannessen, Dynamics of free carriers-neutral impurity related optical transitions in Be and Si δ-doped GaAs/AlAs multiple quantum wells: Fractional-dimensional space approach, Lithuanian J. Phys., Vol. 54, No 4, p. 233-243 (2014).

http://dx.doi.org/10.3952/physics.v54i4.3012

Įvertinimas[redaguoti | redaguoti vikitekstą]

Šaltiniai[redaguoti | redaguoti vikitekstą]

  1. Algis Jurgis Kundrotas. Visuotinė lietuvių enciklopedija, T. XI (Kremacija-Lenzo taisyklė). – Vilnius: Mokslo ir enciklopedijų leidybos institutas, 2007. 262 psl.

http://www.samogit.lt/KULTURA/J_Kundrotas.htm

Nuorodos[redaguoti | redaguoti vikitekstą]