Puslaidininkinis įtaisas: Skirtumas tarp puslapio versijų
SNėra keitimo santraukos |
Nėra keitimo santraukos |
||
| Eilutė 7: | Eilutė 7: | ||
[[Rezistorius|'''Rezistoriuose''']] ir '''galvanometriniuose prietaisuose''' naudojama izotropinė medžiaga (vieno tipo puslaidininkis be sandūrų). Šiuose prietaisuose fizikiniai reiškiniai, lemiantys prietaisų elektrines savybes, vyksta visame [[tūris|tūryje]]. Galvanomagnetiniuose prietaisuose naudojamas [[Holo efektas]]. |
[[Rezistorius|'''Rezistoriuose''']] ir '''galvanometriniuose prietaisuose''' naudojama izotropinė medžiaga (vieno tipo puslaidininkis be sandūrų). Šiuose prietaisuose fizikiniai reiškiniai, lemiantys prietaisų elektrines savybes, vyksta visame [[tūris|tūryje]]. Galvanomagnetiniuose prietaisuose naudojamas [[Holo efektas]]. |
||
[[ |
[[Puslaidininkis diodas|'''Dioduose''']] naudojami skirtingo tipo puslaidininkiai, sudarantys [[pn sandūra|elktroninę-skylinę sandūrą]], todėl diodo elektrinės charakteristikos yra apibūdinamos sandūros elektrinėmis savybėmis. |
||
[[Dvipolis tranzistorius|'''Dvipoliuose tranzistoriuose''']] panaudotos dvi [[pn sandūra|''pn'' sandūros]]. Šių tranzistorių elektrines savybes lemia dviejų ''pn'' sandūrų tarpusavio veikimas. |
[[Dvipolis tranzistorius|'''Dvipoliuose tranzistoriuose''']] panaudotos dvi [[pn sandūra|''pn'' sandūros]]. Šių tranzistorių elektrines savybes lemia dviejų ''pn'' sandūrų tarpusavio veikimas. |
||
16:18, 7 gruodžio 2005 versija
Puslaidininkiais prietaisais vadinami prietaisai, kurių veikimas pagrįstas puslaidininkių savybėmis.
Klasifikacija
Rezistoriuose ir galvanometriniuose prietaisuose naudojama izotropinė medžiaga (vieno tipo puslaidininkis be sandūrų). Šiuose prietaisuose fizikiniai reiškiniai, lemiantys prietaisų elektrines savybes, vyksta visame tūryje. Galvanomagnetiniuose prietaisuose naudojamas Holo efektas.
Dioduose naudojami skirtingo tipo puslaidininkiai, sudarantys elktroninę-skylinę sandūrą, todėl diodo elektrinės charakteristikos yra apibūdinamos sandūros elektrinėmis savybėmis.
Dvipoliuose tranzistoriuose panaudotos dvi pn sandūros. Šių tranzistorių elektrines savybes lemia dviejų pn sandūrų tarpusavio veikimas.
Lauko tranzistoriuose naudojami skirtingo tipo puslaidininkiai, kurie sudaro pn sandūras. Nuo diodų lauko tranzistoriai skiriasi tuo, kad jų elektrinės charakteristikos priklauso nuo pn sandūros ir izotropinio pusalaidininkio kanalo tarpusavio veikimo.
Tiristoriuose yra trys ir daugiau pn sandūrų. Tiristorių pagrindines elektrines savybes lemia sandūrų tarpusavio veikimas.
Fotoelektriniuose prietaisuose panaudoti vidinis ir ventilinis fotoefektai.
Kombinuotiems prietaisams priskiriami prietaisai, kurių viename korpuse sujungta keletas skirtingų puslaidininkių prietaisų.
Integrinių mikroschemų visi elementai ir tarpelementiniai junginiai išdėstyti kristalo (puslaidininkio) paviršiuje arba tūryje.