Puslaidininkinis įtaisas: Skirtumas tarp puslapio versijų

← Prieš tai darytas keitimas Kitas pakeitimas →

Ištrintas turinys Pridėtas turinys

Inline

18:05, 2 gegužės 2005 versija

Puslaidininkiais prietaisais vadinami prietaisai, kurių veikimas pagrystas puslaidininkių savybėmis.

Klasifikacija

Rezistoriuose ir galvanometriniuose prietaisuose naudojama izotropinė medžiaga (vieno tipo puslaidininkis be sandūrų). Šituose prietaisuose fizikiniai reiškiniai, lementys prietaisų elektrines savybes, vyksta visame tūryje. Galvanomagnetiniuose prietaisuose naudojamas Holo efektas.

Dioduode naudojami skirtingo tipo puslaidininkiai, sudarantys elktroninę-skylinę sandūrą, todėl diodo elektrinės charakteristikos yra apibūdinamos sandūros elektrinėmis savybėmis.

Dvipoliuose tranzistoriuose panaudotos dvi pn sandūra''pn'' sandūros. Šių tranzistorių elektrines savybes lemia dviejų pn sandūrų tarpusavio veikimas.

Lauko tranzistoriuose naudojami skirtingo tipo puslaidininkiai, kurie sudaro pn sandūra''pn'' sandūras. Nuo diodo lauko tranzistoriai skiriasi tuo, kad jų elektrinės charakteristikos priklauso nuo pn sandūros ir izotropinio pusalaidininkio kanalo tarpusavio veikimo.

Tiristoriuose yra trys ir daugiau pn sandūra''pn'' sandūrų. Tiristorių pagrindines elektrinias savybes lemia sandūrų tarpusavio veikimas.

'''Fotoelektriniuose prietaisuose''' panaudoti vidinis ir ventilinis fotoefektai.

Prie kombinuotojų prietaisų priskiriami prietaisai, kurių viename korpuse sujungta keletas skirtingų puslaidininkių prietaisų.

Integrinių mikroschemų visi elementai ir tarp elementiniai junginiai išdėstyti kristalo (puslaidininkio) paviršiuje arba tūryje.

@@ Eilutė 7: / Eilutė 7: @@
 [[rezistorius|'''Rezistoriuose''']] ir '''galvanometriniuose prietaisuose''' naudojama izotropinė medžiaga (vieno tipo puslaidininkis be sandūrų). Šituose prietaisuose fizikiniai reiškiniai, lementys prietaisų elektrines savybes, vyksta visame [[tūris|tūryje]]. Galvanomagnetiniuose prietaisuose naudojamas [[Holo efektas]].
-[[puslaidininkinis diodas|'''Dioduode''']] naudojami skirtingo tipo puslaidininkiai, sudarantys elktroninę-skylinę sandūrą, todėl diodo elektrinės charakteristikos yra apibūdinamos sandūros elektrinėmis savybėmis.
+[[puslaidininkinis diodas|'''Dioduode''']] naudojami skirtingo tipo puslaidininkiai, sudarantys [[pn sandūra|elktroninę-skylinę sandūrą]], todėl diodo elektrinės charakteristikos yra apibūdinamos sandūros elektrinėmis savybėmis.
-[[Dvipolis tranzistorius|'''Dvipoliuose tranzistoriuose''']] panaudotos dvi ''pn'' sandūros. Šių tranzistorių elektrines savybes lemia dviejų ''pn'' sandūrų tarpusavio veikimas.
+[[Dvipolis tranzistorius|'''Dvipoliuose tranzistoriuose''']] panaudotos dvi [[pn sandūra''pn'' sandūros]]. Šių tranzistorių elektrines savybes lemia dviejų ''pn'' sandūrų tarpusavio veikimas.
-[[Lauko tranziostorius|'''Lauko tranzistoriuose''']] naudojami skirtingo tipo puslaidininkiai, kurie sudaro ''pn'' sandūras. Nuo diodo lauko tranzistoriai skiriasi tuo, kad jų elektrinės charakteristikos priklauso nuo ''pn'' sandūros ir izotropinio pusalaidininkio kanalo tarpusavio veikimo.
+[[Lauko tranziostorius|'''Lauko tranzistoriuose''']] naudojami skirtingo tipo puslaidininkiai, kurie [[sudaro pn sandūra''pn'' sandūras]]. Nuo diodo lauko tranzistoriai skiriasi tuo, kad jų elektrinės charakteristikos priklauso nuo ''pn'' sandūros ir izotropinio pusalaidininkio kanalo tarpusavio veikimo.
-[[Tiristroius|'''Tiristoriuose''']] yra trys ir daugiau ''pn'' sandūrų. Tiristorių pagrindines elektrinias savybes lemia sandūrų tarpusavio veikimas.
+[[Tiristroius|'''Tiristoriuose''']] yra trys ir daugiau [[pn sandūra''pn'' sandūrų]]. Tiristorių pagrindines elektrinias savybes lemia sandūrų tarpusavio veikimas.
-'''Fotoelektriniuose prietaisuose''' panaudoti vidinis ir ventilinis fotoefektai.
+[['''Fotoelektriniuose prietaisuose''']] panaudoti vidinis ir ventilinis [[fotoefektas|fotoefektai]].
 Prie '''kombinuotojų prietaisų''' priskiriami prietaisai, kurių viename korpuse sujungta keletas skirtingų puslaidininkių prietaisų.
-[[Integrinė mikroschema|'''Integrinių mikroschemų''']] visi elementai ir tarp elementiniai junginiai išdėstyti kristalo (puslaidininkio) paviršiuje arba tūryje.
+[[Integrinė mikroschema|'''Integrinių mikroschemų''']] visi elementai ir tarp elementiniai junginiai išdėstyti kristalo (puslaidininkio) paviršiuje arba [[tūris|tūryje]].
 [[Category:Elektronika]]