Puslaidininkinis įtaisas: Skirtumas tarp puslapio versijų

Straipsnis iš Vikipedijos, laisvosios enciklopedijos.
Ištrintas turinys Pridėtas turinys
Knutux (aptarimas | indėlis)
Nėra keitimo santraukos
Lang-Bot-as (aptarimas | indėlis)
S robot Adding:es,it,zh,ja
Eilutė 21: Eilutė 21:
[[Integrinė mikroschema|'''Integrinių mikroschemų''']] visi elementai ir tarp elementiniai junginiai išdėstyti kristalo (puslaidininkio) paviršiuje arba tūryje.
[[Integrinė mikroschema|'''Integrinių mikroschemų''']] visi elementai ir tarp elementiniai junginiai išdėstyti kristalo (puslaidininkio) paviršiuje arba tūryje.
[[Category:Elektronika]]
[[Category:Elektronika]]

[[en:Semiconductor device]]
[[en:Semiconductor device]]
[[es:Semiconductor]]
[[it:Dispositivi a semiconduttore]]
[[ja:半導体素子]]
[[zh:半导体器件]]

07:51, 2 gegužės 2005 versija

Puslaidininkiais prietaisais vadinami prietaisai, kurių veikimas pagrystas puslaidininkių savybėmis.

Klasifikacija

Rezistoriuose ir galvanometriniuose prietaisuose naudojama izotropinė medžiaga (vieno tipo puslaidininkis be sandūrų). Šituose prietaisuose fizikiniai reiškiniai, lementys prietaisų elektrines savybes, vyksta visame tūryje. Galvanomagnetiniuose prietaisuose naudojamas Holo efektas.

Dioduode naudojami skirtingo tipo puslaidininkiai, sudarantys elktroninę-skylinę sandūrą, todėl diodo elektrinės charakteristikos yra apibūdinamos sandūros elektrinėmis savybėmis.

Dvipoliuose tranzistoriuose panaudotos dvi pn sandūros. Šių tranzistorių elektrines savybes lemia dviejų pn sandūrų tarpusavio veikimas.

Lauko tranzistoriuose naudojami skirtingo tipo puslaidininkiai, kurie sudaro pn sandūras. Nuo diodo lauko tranzistoriai skiriasi tuo, kad jų elektrinės charakteristikos priklauso nuo pn sandūros ir izotropinio pusalaidininkio kanalo tarpusavio veikimo.

Tiristoriuose yra trys ir daugiau pn sandūrų. Tiristorių pagrindines elektrinias savybes lemia sandūrų tarpusavio veikimas.

Fotoelektriniuose prietaisuose panaudoti vidinis ir ventilinis fotoefektai.

Prie kombinuotojų prietaisų priskiriami prietaisai, kurių viename korpuse sujungta keletas skirtingų puslaidininkių prietaisų.

Integrinių mikroschemų visi elementai ir tarp elementiniai junginiai išdėstyti kristalo (puslaidininkio) paviršiuje arba tūryje.